Chlorbasierte AI- und AIN-Ätzprozesse (ALNÄTZ)

Dieses Projekt zielt auf die Verfügbarkeit von Chlor-Ätzprozessen zur Realisierung von Metall- und piezoelektrischen Strukturen im µm-Bereich für hochintegrierte und –effiziente Mikrosysteme.

Um chlorbasierte Trockenätzprozesse zu etablieren, wurde bei Hahn-Schickard eine entsprechende Plasmaanlage beschafft und im Reinraum in Villingen-Schwenningen installiert, was auch die dafür notwendige Infrastruktur (v.a. Chlorgasversorgung mit sicherheitsrelevanten Einrichtungen sowie und Abluftreinigung) beinhaltet. Nach der Entwicklung und dem Einfahren von Ätzprozessen für Al (CI-Prozess) und AIN (Cl/Ar-Prozess) wurden diese in die Fertigungslinie von Hahn-Schickard implementiert und stehen für die Anfertigung neuartiger MEMS-Komponenten im Rahmen eigenfinanzierter oder öffentlich geförderter F&E-Projekten sowie der Auftragsforschung zur Verfügung.