LPKF-LDS®-Verfahren für 3D-MID
Kurze Prozesskette beim LPKF-LDS®-Verfahren
Die LPKF-LDS®-Verfahren ist ein effizientes Verfahren zur Laserdirektstrukturierung von Molded Interconnect Devices. Durch den laserbasierten Strukturierungsprozess des Leiterbahnlayouts ergibt sich eine maximale Designfreiheit der 3D-MID und eine hohe Flexibilität bezüglich verschiedener Layoutvarianten.
Beim LPKF-LDS®-Verfahren werden laseraktivierbare Thermoplaste mittels IR-Laser selektiv aktiviert und außenstromlos metallisiert. Mittlerweile ist eine breite Werkstoffpalette wie zum Beispiel LCP, PPA, PEEK, PBT, PET+PBT, ABS und PC+ABS verfügbar, so dass für nahezu jede Anwendung ein geeigneter Thermoplast zur Verfügung steht. Typischerweise wird ein Schichtsystem aus Cu/Ni/Au abgeschieden, wobei auch alternative Schichtsysteme wie zum Beispiel Cu/Pd/Au, Cu/Ag oder galvanische Beschichtungen von chemischen Kupferstartschichten möglich sind. Die feinsten Leiterstrukturen sind dabei weniger als 100 µm breit.
Langjährige Kompetenz bei der Entwicklung und Fertigung von 3D-MID
Hahn-Schickard unterstützt Sie entlang der gesamten Prozesskette, vom Bauteil- und Layoutdesign, Spritzguss, Laserstrukturierung und Metallisierung bis zur Bestückung von elektronischen Komponenten wie z.B. SMD – bei uns finden Sie alles unter einem Dach. Sie profitieren durch unsere jahrelange Erfahrung und führende Position bei der Entwicklung von 3D-MID mit dem LPKF LDS®-Verfahren. Ein schneller und kostengünstiger Einstieg in 3D-MID ist mittels Rapid Prototyping möglich.
Für die Fertigung von Erst- und Kleinserien stehen Ihnen unser Know-how zum fertigungsgerechten Design sowie serientaugliche Anlagen zur Verfügung.
